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OLED驱动最新效果:BG-TFT技能和非晶体C12A7电子化合物

2018-09-10 21:39

  OLED驱动最新效果:BG-TFT技能和非晶体C12A7电子化合物

  9月11日,在日经BP社与我国光学光电子行业协会液晶分会一起主办的我国北京2013世界平板显现工业高峰论坛上,中外研讨人员向与会听众共享了OLED驱动相关的最新研讨成果。

  搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管

  现在,用激光退火低温多晶硅(LTPS)技能制作出的驱动AMOLED的薄膜半导体,存在均匀性、需外围电路等问题,且本钱较高。而氧化物薄膜半导体尽管本钱低许多,但稳定性缺乏,长时间高电流会引起半导体功能的改变,如阈值电压偏移到达0.5~1V,这对解析度有较大影响,且补偿作用不抱负。

  香港科技大学显现研讨中心主任郭海成领导的研讨团队开宣布一种称为搭桥晶粒(Bridged-Grain)多晶硅薄膜晶体管,即BG-TFT的技能。它能够改进金属诱导晶化(MIC)和固相晶化(SPC)TFT的电学特性,如显着下降SPC和MICTFT的阈值电压(Vth);下降SPC的伪亚阈值斜率(SS);进步载流子迁移率(μ);增加开态电流,下降关态电流;把源-漏极电流开关比率进步10倍以上。该技能可用于任何多晶硅TFT,适于大型显现屏的出产,兼容现有制作工艺,出产本钱比准分子激光晶化(ELC)低许多。

  郭海成的学生周玮在讲演中表明,BG-TFT中,狭隘的高浓度掺杂的BG区域沿沟道长度方向均匀分布,掺杂类型与源漏区域相同,将栅极覆盖下的有源层分成了许多短沟道,沟道长度被曝光体系约束在2μm左右。相邻的BG区域较短,表现出较强的短沟道效应(SCE)。

  BGTFT工艺不需改造现有光刻版。为了构成重掺杂的BG区域,可在构成有源岛之前,对多晶硅层进行选择性的离子注入,注入的能量和深度可用制作工艺的仿真软件核算。试验发现,深度400nm比较适宜,保证不会短路。首要过程如图1所示,首要构成一个光栅型的光刻胶层,然后进行离子注入,最终去除光刻胶。

  

  

图1对多晶硅层进行选择性离子注入的首要过程

  为了将光刻胶层构成较为精细的光栅结构,若需求1μm以下的周期,可采用激光干与光刻法或纳米压印技能。对2μm以上的周期,LED工业回暖 小距离迸发孕新机一般光刻设备即可,且可与栅极制作工艺同步完结。

  BG-TFT改进MIC和SPCTFT电特性的原理如下,以PMOS为例,沟道是n-掺杂,源漏和BG区域是p+掺杂。①在不通电时,BG-TFT漏电很低。导通状况时,BG线之间间隔短,电阻率下降,载流子迁移率进步。